BCX52-16

IC PNP TRANSISTOR 60V 1A SOT-89

PNP транзистор средней мощности, VCEO -60В, IC -1А, корпус SOT89, подходит для линейных стабилизаторов напряжения и высоковольтных ключей.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP

Напряжение коллектор-эмиттер-60 V

Ток коллектора-1 AМакс.

Коэффициент усиления hFE63 ~ 250Max 250 (VCE = -2 V，IC = -150 mA)

Мощность500 mWМакс. · Max 0.5 W (Tamb ≤ 25 °C，Max 0.9 W (Tamb ≤ 25 °C，Max 1.3 W (Tamb ≤ 25 °C

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 15

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Тип	PNP medium power transistor
Напряжение коллектор-эмиттер	Max -60 V (open base)
Ток коллектора	Max -1 A
Коэффициент усиления по току	Min 63, Max 250 (VCE = -2 V; IC = -150 mA)
Мощность рассеивания	Max 0.5 W (Tamb ≤ 25 °C, FR4 PCB standard footprint); Max 0.9 W (Tamb ≤ 25 °C, mounting pad 1 cm²); Max 1.3 W (Tamb ≤ 25 °C, mounting pad 6 cm²)
Корпус	SOT89 (SC-62/TO-243)
Температура окружающей среды	Min -65 °C, Max +150 °C
Температура перехода	Max 150 °C
Температура хранения	Min -65 °C, Max +150 °C
Напряжение коллектор-база	Max -60 V (open emitter)
Напряжение эмиттер-база	Max -5 V (open collector)
Пиковый ток коллектора	Max -1.5 A (single pulse; tp ≤ 1 ms)
Пиковый ток базы	Max -0.2 A (single pulse; tp ≤ 1 ms)
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде	Max 230 K/W (in free air, standard footprint); Max 135 K/W (mounting pad 1 cm²); Max 95 K/W (mounting pad 6 cm²)
Тепловое сопротивление от перехода к точке пайки	Max 20 K/W

Распиновка и корпус

КорпусSOT89 (SC-62/TO-243)

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		Эмиттер
2		Коллектор
3		База

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 115.8 KB · 2026-11-03

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.