BFU530AR

Bipolar RF Transistorsplastic surface-mounted package

TRANSISTOR BJT NPN 24V 40MA SOT23

NXP BFU530A NPN кремниевый RF-транзистор в корпусе SOT23, подходит для малошумящих приложений до 2 ГГц, сертифицирован AEC-Q101, максимальный ток коллектора 40 мА.Проверено по даташиту

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 16

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Корпус	plastic surface-mounted package; 3 leads SOT23
Температура перехода	Min -40 °C, Max +150 °C
Класс	AEC-Q101 qualified
Напряжение коллектор-база	Max 24 V (open emitter)
Напряжение коллектор-эмиттер	Max 12 V (open base), Max 24 V (shorted base)
Напряжение эмиттер-база	Max 2 V (open collector)
Ток коллектора	Max 40 mA
Полная рассеиваемая мощность	Max 450 mW (Tsp ≤ 87 °C)
Коэффициент усиления по току	Min 60, Typ 95, Max 200 (IC = 10 mA; VCE = 8 V)
Емкость коллектора	Typ 0.67 pF (VCB = 8 V; f = 1 MHz)
Частота перехода	Typ 11 GHz (IC = 15 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz)
Максимальное усиление по мощности	Typ 18 dB (IC = 10 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz)
Минимальный коэффициент шума	Typ 0.6 dB (IC = 1 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz; ΓS = Γopt)
Мощность на выходе при сжатии усиления на 1 дБ	Typ 10 dBm (IC = 15 mA; VCE = 8 V; ZS = ZL = 50 Ω; f = 900 MHz)
Температура хранения	Min -65 °C, Max +150 °C
Напряжение электростатического разряда	Max ±150 V (HBM), Max ±2 kV (CDM)

Все параметры (9)РазвернутьСвернуть

Условия эксплуатации и корпус
Package	SOT23
Другое
f_T	11 GHz (Typ)
h_FE	95 (Typ)
I_C	40 mA (Max)
NF_min	0.6 dB (Typ)
P_tot	450 mW (Max)
T_j	-40 °C to +150 °C
V_CB	24 V (Max)
V_CE	12 V (Max)

Распиновка и корпус

Корпусplastic surface-mounted package; 3 leads SOT23

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		База
2		Эмиттер
3		Коллектор

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 307.5 KB · 2026-10-29

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.