BL(上海贝岭)Китай
BL11N40, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO220 TO220F TO251 TO252 |
| Другое | |
| ID(Max.) | 11A |
| Mode | N-Channel |
| Qg(Typ) | 23nC |
| RDS(on)(Max.) | 450mΩ |
| Type | Planar MOSFETs |
| VDS(Max.) | 400V |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.