IRF7341GTRPBF

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - ArraysSO-8

MOSFET N-CH 55V 5.1A

Infineon IRF7341GTRPBF — двойной N-канальный HEXFET силовой MOSFET в корпусе SO-8, с номинальным напряжением сток-исток 55В и непрерывным током стока 5,1А, поддерживает температуру перехода 175°C, имеет низкое сопротивление в открытом состоянии и не содержит галогенов.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 22

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Корпус	SO-8
Диапазон температур перехода и хранения	-55 to + 175 °C
Уровень квалификации	Industrial (per JEDEC JESD47F guidelines)
Соответствие RoHS	Yes
Без галогенов	Halogen-Free
Напряжение пробоя сток-исток	Min 55 V, $V_{GS} = 0V, I_D = 250μA$
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии	Typ 0.056 Ω, Max 0.065 Ω, $V_{GS} = 4.5V, I_D = 4.42A$
Пороговое напряжение затвор-исток	Min 1.0 V, $V_{DS} = V_{GS}, I_D = 250μA$
Прямая проводимость	Min 10.4 S, $V_{DS} = 10V, I_D = 5.2A$
Ток утечки сток-исток	Max 25 μA, $V_{DS} = 44V, V_{GS} = 0V, T_J = 150°C$
Прямой ток утечки затвор-исток	Max 100 nA, $V_{GS} = 20V$
Полный заряд затвора	Typ 29 nC, Max 44 nC, $I_D = 5.2A$
Входная емкость	Typ 780 pF, $V_{GS} = 0V$
Выходная емкость	Typ 190 pF, $V_{DS} = 25V$
Непрерывный ток стока	Max 4.2 A, $T_A = 70°C, V_{GS} = 10V$
Импульсный ток стока	Max 42 A
Максимальная рассеиваемая мощность	Max 1.7 W, $T_A = 70°C$
Напряжение затвор-исток	Max ± 20 V
Максимальное тепловое сопротивление переход-окружающая среда	Max 62.5 °C/W
Энергия одиночного импульса лавинного пробоя	Max 140 mJ
Ток лавинного пробоя	Max 5.1 A
Уровень чувствительности к влаге	MSL1 (per JEDEC J-STD-020D)

Все параметры (18)РазвернутьСвернуть

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Power - Max	2.4W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~175°C(TJ)
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Другое
Base Product Number	IRF7341
FET Feature	Standard
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 5.1A, 10V
Series	HEXFET®
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)

Документы

DatasheetDatasheet · 205.2 KB · 2026-11-09 OtherOther · 27.2 KB · 2026-09-21 OtherOther · 27.2 KB · 2026-09-21

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.