HEXFET® Power MOSFET — Источник: Даташит, с. 1

IRLML6401PBF

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

Infineon IRLML6401PBF — P-канальный HEXFET силовой MOSFET с напряжением пробоя -12В, сопротивлением в открытом состоянии 0,05 Ом, в корпусе Micro3 (SOT-23), с низким профилем, быстрым переключением и соответствием RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel

Напряжение сток-исток-12 VMin: -12 V (VGS = 0V，ID = -250μA)

Постоянный ток стока-4.3 AMax: -4.3 A (TA = 25°C，VGS = -4.5V)，Max: -3.4 A (TA = 70°C，VGS = -4.5V)

Сопротивление в открытом состоянии50 mΩМакс. · Max: 0.050 Ω (VGS = -4.5V，ID = -4.3A)，Max: 0.085 Ω (VGS = -2.5V，ID = -2.5A)，Max: 0.125 Ω (VGS = -1.8V，ID = -2.0A)

Пороговое напряжение-950 mVМакс. · Max: -0.95 V (VDS = VGS，ID = -250μA)

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 26

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Канал	P-Channel
Напряжение пробоя сток-исток	Min: -12 V (VGS = 0V, ID = -250μA)
Непрерывный ток стока	Max: -4.3 A (TA = 25°C, VGS = -4.5V); Max: -3.4 A (TA = 70°C, VGS = -4.5V)
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии	Max: 0.050 Ω (VGS = -4.5V, ID = -4.3A); Max: 0.085 Ω (VGS = -2.5V, ID = -2.5A); Max: 0.125 Ω (VGS = -1.8V, ID = -2.0A)
Пороговое напряжение затвора	Min: -0.40 V, Typ: -0.55 V, Max: -0.95 V (VDS = VGS, ID = -250μA)
Корпус	Micro3™ (SOT-23)
Диапазон температур перехода и хранения	-55 to +150 °C
Уровень квалификации	Consumer (per JEDEC JESD47F guidelines)
Соответствие RoHS	Yes
Без галогенов	Yes
Импульсный ток стока	Max: -34 A
Мощность рассеивания	Max: 1.3 W (TA = 25°C); Max: 0.8 W (TA = 70°C)
Напряжение затвор-исток	Max: ± 8.0 V
Энергия одиночного импульса лавинного пробоя	Max: 33 mJ
Максимальное тепловое сопротивление переход-окружающая среда	Typ: 75 °C/W, Max: 100 °C/W
Прямая передаточная проводимость	Min: 8.6 S (VDS = -10V, ID = -4.3A)
Ток утечки сток-исток	Max: -1.0 μA (VDS = -12V, VGS = 0V); Max: -25 μA (VDS = -9.6V, VGS = 0V, TJ = 55°C)
Прямой ток утечки затвор-исток	Max: -100 nA (VGS = -8.0V)
Полный заряд затвора	Typ: 10 nC, Max: 15 nC (ID = -4.3A, VDS = -10V, VGS = -5.0V)
Входная емкость	Typ: 830 pF (VGS = 0V, VDS = -10V, f = 1.0MHz)
Выходная емкость	Typ: 180 pF (VGS = 0V, VDS = -10V, f = 1.0MHz)
Обратная емкость передачи	Typ: 125 pF (VGS = 0V, VDS = -10V, f = 1.0MHz)
Время задержки включения	Typ: 11 ns (VDD = -6.0V, ID = -1.0A, RD = 6.0Ω, RG = 89Ω)
Время нарастания	Typ: 32 ns (VDD = -6.0V, ID = -1.0A, RD = 6.0Ω, RG = 89Ω)
Время задержки выключения	Typ: 250 ns (VDD = -6.0V, ID = -1.0A, RD = 6.0Ω, RG = 89Ω)
Время спада	Typ: 210 ns (VDD = -6.0V, ID = -1.0A, RD = 6.0Ω, RG = 89Ω)

Все параметры (7)РазвернутьСвернуть

Условия эксплуатации и корпус
Package Type	Micro3TM (SOT-23)
Другое
I_{D} @ T_{A} = 25^{}C	-4.3 A (Max)
P_{D} @ T_{A} = 25^{}C	1.3 W (Max)
R_{DS(on)}	0.050 Ω (Max)
T_{J}, T_{STG}	-55 to + 150 °C
V_{DSS}	-12 V
V_{GS(th)}	-0.55 V (Typ)

Распиновка и корпус

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		Затвор (G)
2		Исток (S)
3		Сток (D)

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 196.2 KB · 2026-11-09

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.