VBsemi(微碧半导体)Китай
RDD020N60-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока4.5 A
Сопротивление в открытом состоянии2.1 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |