搜索结果：SI2305

类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A

1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

P 沟道 -20V

MOSFET,P-channel 20V/12V 4.1A VGS(th)=0.7V 46mΩ@4.1A&4.5V,SOT-23

因其低导通电阻、高开关速度、低漏电流和高稳定性等性能特点，适用于低功耗电子系统、高频率开关系统和空间受限的电子系统

SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

场效应管(MOSFET)

SI2305 SOT-23场效应管

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Interface

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

P沟道,-8V,-5.8A,35mΩ@-4.5V