Результаты поиска:WNSC2D04650
Найдено: 14- С даташитом6
- Производителей2
Результаты поискаВсего: 14
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single Diodes | ||||||
| Single Diodes | ||||||
| Single Diodes | ||||||
| Single Diodes | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | Даташит2 | ||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC | Даташит2 | ||||
| Single Diodes | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK | |||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK | |||||
| Single Diodes | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN | Даташит2 | ||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN | Даташит2 | ||||
| Single Diodes | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F | |||||
| Diodes - Rectifiers - Single | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F | |||||
| Single Diodes | 该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，典型正向压降为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。 | Даташит1 | ||||
| Single Diodes | 该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复电压为650V，正向导通压降典型值为1.3V，具有较低的导通损耗。其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A，能够有效应对短时过载情况。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能，适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.